D . 2∶1
霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中,如图所示,ab宽为1cm,ad长为4cm,ae厚为
cm的导体,沿ad方向通有3A的电流,当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时,产生了
V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是()
B . 在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率
C . 在其它条件不变的情况下,增大ad的长度,可增大霍尔电压
D . 每立方米的自由电子数为
个
一圆筒处于磁感应强度大小为B的匀强磁场中,磁场方向与筒的轴平行,筒的横截面如图所示.图中直径MN的两端分别开有小孔,筒绕其中心轴以角速度ω顺时针转动.在该截面内,一带电粒子从小孔M射入筒内,射入时的运动方向与MN成30°角.当筒转过90°时,该粒子恰好从小孔N飞出圆筒.不计重力.若粒子在筒内未与筒壁发生碰撞,则带电粒子的比荷为( )

B .
C .
D .


空间有一圆柱形匀强磁场区域,O点为圆心.磁场方向垂直于纸面向外.一带正电的粒子从A点沿图示箭头方向以速率v射入磁场,θ=30°,粒子在纸面内运动,经过时间t离开磁场时速度方向与半径OA垂直.不计粒子重力.若粒子速率变为
,其它条件不变,粒子在圆柱形磁场中运动的时间为( )

B . t
C .
D . 2t

如图所示,区域Ⅰ、Ⅲ内存在垂直纸面向外的匀强磁场,区域Ⅲ内磁场的磁感应强度B,宽为1.5d,区域Ⅰ中磁场的磁感应强度B1未知,区域Ⅱ时无场区,宽为d.一个质量为m,电荷量为q的带正电粒子从磁场边界上的A点与边界成θ=60°角垂直射入区域Ⅰ的磁场,粒子恰好不从区域Ⅲ的右边界穿出且刚好能回到A点,粒子重力不计,求:




(T为粒子的运行周期)时刻的位置坐标。
,求粒子从P到Q的运动时间t.
,方向向里的匀强磁场
B . 磁感应强度大小B=
,方向向外的匀强磁场
C . 磁感应强度大小B=Udv,方向向里的匀强磁场
D . 磁感应强度大小B=Udv,方向向外的匀强磁场
时a球到某位置P点,求P点的位置坐标;
,边界右侧空间Ⅱ区域存在一周期性变化的匀强电场,方向平行于磁场边界竖直向下,电场强度的变化规律如图乙所示(规定向下为电场的正方向),场强大小
,一质量为
、电荷量为
的粒子,在
时刻以速度
从
点沿
水平方向射入电场中,
,粒子重力不计。
,求粒子射入磁场时的速度大小和方向;
,粒子恰好不能从磁场左边界穿出,求磁感应强度B的大小;
与第(2)问中的值相同,调整电场的周期使
,在第(2)问的条件下,求该粒子射出磁场时距
点的距离。
小于②中离子的比荷
, 第一、四象限内有垂直纸面向里的匀强磁场,平行板
、
如图放置,两板间距为
, 板长均为
,
板带正电,右端位于y轴上的
点,
板在
负半轴上且带负电,右端位于坐标轴
点,
板正中间有一小孔
, 一质量为m,电量为
的带电粒子从
板左边沿向
轴正方向以速度
水平射入平行板间,穿过小孔
、经第三、第四、第一象限,再次进入平行板内。不计粒子的重力,求:
轴上进入第四象限的速度大小;
, 方向不变,将第一象限内磁场撤除,同时在第一象限内加上平行纸面的匀强电场
。仍将粒子从
板左边沿向
轴正方向以
向右水平射入平行板间,最终粒子垂直于
轴从
点再次进入平行板内,求匀强电场
的大小和方向(方向用与
轴夹角的正切表示)。
平行极板射入,恰好从x轴上的
点进入磁场,粒子进入磁场时速度方向与x轴正方向夹角为45°,不计粒子的重力。
时粒子从c点射出,磁感应强度为
时粒子从d点射出,求磁感应强度
与
的乘积。