下图是已经合成的最著名硫-氮化合物分子结构。下列说法正确是( )
(1)写出元素符号:W为 ,X为 ,Y为 ,Z为 .
(2)W2Z是由 键组成的分子,其电子式为 .
(3)由Y、X、W组成的物质是 键和 键组成的 化合物.
①[B(OH)4]-中B原子的杂化类型为。
②[B(OH)4]-的结构式为。

①金刚石、晶体硅、碳化硅的熔点由高到低的排列顺序是(用化学式表示);
②金刚石的晶胞参数为a pm(1 pm=10-12 m)。 金刚石晶胞的密度为g/cm3(只要求列算式,阿伏加德罗常数为NA)。
| 选项 | 规律 | 结论 |
| A | 较强酸可以制取较弱酸 | 次氯酸溶液无法制取盐酸 |
| B | 反应物浓度越大,反应速率越快 | 常温下,相同的铝片中分别加入足量的浓、稀硝酸,浓硝酸中铝片先溶解完 |
| C | 结构和组成相似的物质,沸点随相对分子质量增大而升高 | CH4沸点低于C2H6 |
| D | 活泼金属做原电池的负极 | Mg-Al—NaOH构成原电池,Mg做负极 |
①
该原子的电子排布图,最外层违背了洪特规则
②处于最低能量状态原子叫基态原子,1s22s22px1→1s22s22py1过程中形成的是发射光谱
③运用价层电子对互斥理论,CO32-离子的空间构型为三角锥型
④具有相同核外电子排布的粒子,化学性质相同
⑤NCl3中N-Cl键的键长比CCl4中C-Cl键的键长短

坐标 原子 | x | y | z |
Cd | 0 | 0 | 0 |
Sn | 0 | 0 | 0.5 |
As | 0.25 | 0.25 | 0.125 |

一个晶胞中有个Sn,找出距离Cd(0,0,0)最近的Sn(用分数坐标表示)。CdSnAs2
晶体中与单个Sn键合的As有个。

|
|
GaN |
GaP |
GaAs |
|
熔点/℃ |
1700 |
1480 |
1238 |
①GaN、GaP、GaAs的熔点变化原因是。
②砷化镓晶体中含有的化学键类型为(填选项字母)。
A.离子键 B.配位键 C.σ键 D.π键 E.极性键 F.非极性键
③以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置。称作原子分数坐标。如图为沿y轴投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子1的原子分数坐标为(0.25,0.25,0.75),则原子2的原子分数坐标为;若磷化镓的晶体密度为ρg·cm-3 , 阿伏加德罗常数的值为NA , 则晶胞中Ga和P原子的最近距离为pm(用代数式表示)。


呈四面体
D . 最高价氧化物对应水化物的酸性:Y<X