高考二轮复习知识点：判断简单分子或离子的构型3

高考二轮复习知识点：判断简单分子或离子的构型3
教材科目：化学
试卷分类：高考阶段
文件类型：.doc
发布时间：2026-05-01
授权方式：免费下载
下载地址：点此下载

以下为试卷部分试题预览

1. 多选题	详细信息
下列描述中正确的是（） A . CS₂为空间构型为V形的极性分子 B . 双原子或多原子形成的气体单质中，一定有σ键，可能有π键 C . 氢原子电子云的一个小黑点表示一个电子 D . SiF₄和SO₃^2-的中心原子均为sp³杂化

2. 多选题

详细信息

硫代硫酸钠（Na₂S₂O₃）可作定影剂，反应的化学方程式为AgBr+2Na₂S₂O₃=Na₃[Ag(S₂O₃)₂]+NaBr，产物中的Na₃[Ag(S₂O₃)₂]常用于切花保鲜。下列说法错误的是（）

A . 基态Na⁺的核外电子存在10种运动状态 B . S₂O $\text{[math]}$ 的空间结构为四面体形，中心原子S的杂化方式为sp³ C . 欲测定切花保鲜液中Na₃[Ag(S₂O₃)₂]的浓度，可用NaCl标准溶液滴定Ag⁺ D . NaBr的晶体结构与NaCl晶体相似，每个Br^-周围有8个Na⁺

3. 综合题

详细信息

【物质结构与性质】

Cu(In_l-xGa_xSe₂)（简称CIGS）可作多晶膜太阳能电池材料，具有非常好的发展前景。

回答下列问题：

（1）已知铟的原子序数为49，基态铟原子的电子排布式为[Kr]；Ga、In、Se，第一电离能从大到小顺序为。
（2）硅与碳位于同主族，碳的化合物中往往有碳碳双键、碳碳三键，但是硅的化合物中只存在硅硅单键，其主要原因是。常温常压下，SiF₄呈气态，而SiCl₄呈液态，其主要原因是。
（3） ₃₁Ga可以形成GaCl₃·xNH₃ (x=3、4、5、6)等一系列配位数为6的配合物，向上述某物质的溶液中加入足量AgNO₃溶液，有沉淀生成：过滤后，充分加热滤液有氨气逸出，且又有沉淀生成，两次沉淀的物质的量之比为1：2。则该溶液中溶质的化学式为。
（4） Seo₃²^－的立体构型为；SeO₂中硒原子采取杂化类型是。
（5）常见的铜的硫化物有CuS和Cu₂S两种。已知：晶胞中S²^－的位置如图l所示，铜离子位于硫离子所构成的四面体中心，它们晶胞具有相同的侧视图如图2所示。已知CuS和Cu₂S的晶胞参数分别为a pm和b pm，阿伏加德罗常数的值为N_A。

①CuS晶体中，相邻的两个铜离子间的距离为pm。

②Cu₂S晶体中，S²^－的配位数为。

⑨Cu₂S晶体的密度为p=g·cm^-3（列出计算式即可）。

4. 综合题

详细信息

锂离子电池让电动汽车飞速发展，有利于实现节能减排。LiCoO₂、LiFePO₄、Li₄TisO₁₂常用作电池的电极材料，LiPF₆、LiAsF₆常用作锂离子聚合物电池的载体材料。

回答下列问题：

（1） LiCoO₂中基态Co原子的电子排布式为，其核外电子的空间运动状态有种。
（2） LiFePO₄与LiPF₆中所含的非金属元素电负性由大到小的顺序为，PF $\text{[math]}$ 的空间构型为。
（3）含氧酸的通式可写为(HO)_mRO_n ，根据含氧酸的结构规律，下列酸中酸性与H₃PO₄相近的有。
a．HClO b．H₂SO₄c．HNO₂d．HNO₃
（4）电池工作时，Li⁺可在电解质LiPF₆或LiAsF₆的中发生迁移，相同条件下，Li⁺在(选填“LiPF₆”或“LiAsF₆”)中迁移较快，原因是。
（5） Li₄Ti₅O₁₂中Ti元素的化合物TiO₂是一种重要的瓷器釉料。研究表明，在TiO₂中通过氮掺杂反应可生成TiO_2-aN_b ，能使TiO₂对可见光具有活性，掺杂过程如图所示。

则TiO_2-aN_b晶体中a=，b=。

5. 综合题

详细信息

电动汽车电池材料的发展技术之一是使用三元材料镍锰钴酸锂。回答下列问题：

（1）基态Mn²⁺中成对电子数与未成对电子数之比为.。
（2） [Co(NO₂)(NH₃)₅]Cl₂中Co³⁺的配位数为，粒子中的大π键可用符号 $\text{[math]}$ $\text{[math]}$ 表示，其中m代表参与形成大π键的原子数，n代表参与形成大π键的电子数(如苯分子中的大π键可表示为 $\text{[math]}$ )，则配体中NO $\text{[math]}$ 的大π键可表示为，空间构型为。
（3） ①已知：过渡金属价层达到18电子时，配位化合物较稳定。比较稳定性：［Ni(CO)₄]［Co(C₅H₅)₂](填“>”“<”)。
②正负离子的半径比是决定晶体结构和配位数的重要因素。根据图(a)、图(b)推测晶体中离子半径比(r₊/r_-)与配位数的关系.。
（4）镍锰钴酸锂三元材料为六方最密堆积，其晶胞结构如下图所示，以R表示过渡金属离子，其化学式为。若过渡金属离子的平均摩尔质量为M_Rg·mol^-1 ，该晶体的密度是ρg·cm^-3 ，阿伏加德罗常数是N_A ，则N_A=。(列出计算表达式)

6. 综合题

详细信息

CdSnAs₂是一种高迁移率的新型热电材料。回答下列问题：

（1）砷和磷为同一主族的元素，则As的价层电子排布式为，第一电离能：磷砷(填“大于”、“小于”或“等于”)。
（2） SnCl₄是制备有机锡化合物的原料，染色的媒染剂，缩合剂。SnCl₄中锡原子的杂化方式为，SnCl₄的空间结构为(用文字描述)。
（3）砷化镉(Cd，As)是一种验证三维量子霍尔效应的材料。
①砷和卤素可形成多种卤化物，AsBr₃、AsCl₃、AsF₃的熔点由低到高的顺序为

②砷元素的常见化合价有+3和+5，它们对应的含氧酸有H₃AsO₃和H₃AsO₄两种，其中H₃AsO₄的酸性比H₃AsO₃的酸性强，从物质结构与性质的关系来看，H₃AsO₄的酸性比H₃AsO₃的酸性强的原因是

③Cd²⁺与 $\text{[math]}$ 形成配离子[Cd(NH₃)₄]²⁺中，中心离子的配位数为，画出配离子的结构式(不考虑立体构型)。
（4）灰锡的晶胞结构如图。已知：晶胞边长为648.9pm。晶体密度为5.75g•cm^-3 ， $\text{[math]}$ =1.414， $\text{[math]}$ =1.732.则锡原子的半径为pm，锡的相对原子质量为(只需写出计算表达式)。

7. 综合题

详细信息

半导体芯片的关键材料是我国优先发展的新材料。经过半个多世纪的发展，硅基材料的半导体器件性能已经接近其物理极限，以碳化硅、氮化镓等为代表的第二代半导体材料成为当今热点。回答如下问题：

（1）材料所涉及的四种元素中，原子半径最大的是(填元素符号，下同)，这四种元素中第一电离能最大的是，基态Si原子的电子占据的轨道数目是个。
（2）原硅酸根SiO $\text{[math]}$ 的空间构型是，其中Si的价层电子对数目为、杂化轨道类型为。
（3）材料所涉及的四种元素对应的单质中，熔沸点最低的是，原因是。
（4） GaN被誉为21世纪引领5G时代的基石材料，是目前全球半导体研究的前沿和热点。有一种氮化镓的六方晶胞结构如图所示，请在图中构建一个以Ga原子为中心的四面体结构(涂成◎)。
（5）材料密度是制作芯片的重要参数之一，已知Si的共价半径是125pm。求每立方厘米体积的单晶硅中硅的原子数目为(保留2位有效数字)。

8. 综合题

详细信息

硫及其化合物有许多用途，请回答下列问题。

（1）基态硫原子的价电子排布式为，其电子占据最高能级的电子云轮廓图形状为；
（2）常见含硫的物质有单质硫(S₈)、SO₂、Na₂S、K₂S等，四种物质的熔点由高到低的顺序依次为，原因是。
（3）炼铜原料黄铜矿中铜的主要存在形式是CuFeS₂ ，煅烧黄铜矿生成SO₂ ， CuFeS₂中存在的化学键类型是，SO₂中心原子的价层电子对数为。
（4）方铅矿(即硫化铅)是一种比较常见的矿物，酸溶反应为：PbS+4HCl(浓)= H₂[PbCl₄]+H₂S↑。H₂S分子属于(填“极性”或“非极性”)分子，其中心原子的杂化方式为。下列分子的空间构型与H₂S相同的有；
A．H₂O B．CO₂ C．SO₂ D．CH₄
（5）方铅矿的立方晶胞如图所示，硫离子采取面心立方堆积，铅离子填在由硫离子形成的空隙中。已知晶体密度为 g•cm^-3 ，阿伏加德罗常数的值为N_A ，则晶胞中硫离子与铅离子最近的距离为nm

9. 综合题

详细信息

氮化硼(BN)是一种重要的功能陶瓷材料.以天然硼砂(主要成分Na₂B₄O₇)为起始物，经过一系列反应可以得到BN和火箭高能燃料及有机合成催化剂BF₃的过程如下：

（1） BF₃中B原子的杂化轨道类型为，BF₃分子空间构型为；
（2）在硼、氧、氟、氮中第一电离能由大到小的顺序是(用元素符号表示)；
（3）已知硼酸的电离方程式为H₃B0₃+H₂O⇌[B(OH)₄]^﹣+H⁺ ，试依据上述反应判断[Al(OH)₄]^﹣的中存在下列哪些键；
a.共价键 b.非极性键 c.配位键 d.σ键 e.π键

并写出结构式，及推测1mol NH₄BF₄(氟硼酸铵)中含有个配位键.
（4）氮化硼(BN)晶体有多种相结构.六方相氮化硼是通常存在的稳定相，可作高温润滑剂.立方相氮化硼是超硬材料，有优异的耐磨性 (晶体结构如图)。

①关于这两种晶体的说法，错误的是(填字母)；

a．两种晶体均为分子晶体 b．两种晶体中的B﹣N键均为共价键

c．六方相氮化硼层间作用力小，所以质地软 d．立方相氮化硼含有σ键和π键，所以硬度大

②六方相氮化硼晶体内B﹣N键数与硼原子数之比为，其结构与石墨相似却不导电，原因是；

③立方相氮化硼晶体中，每个硼原子连接个六元环。

10. 综合题

详细信息

N、P、S、 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 元素形成的化合物质性质丰富，研究较多。

（1）基态 $\text{[math]}$ 原子核外电子排布式为。
（2）硫脲( )分子中氮、碳的杂化类型分别为、。
（3） P、S的第二电离能 $\text{[math]}$ 的大小关系为 $\text{[math]}$ $\text{[math]}$ (填“＞”“＜”或“=”)，原因是。
（4） $\text{[math]}$ 不稳定遇到氧气被氧化成深蓝色的 $\text{[math]}$ ，试回答下列问题：
① $\text{[math]}$ 配位数为，含有 $\text{[math]}$ 键的数目为个。

② $\text{[math]}$ 的空间结构为。

③上述反应可用于检验氨气中的痕量 $\text{[math]}$ ，写出该反应的离子方程式。
（5） $\text{[math]}$ 属于立方晶体，如下图所示，

其晶胞参数为 $\text{[math]}$ ，阿伏加德罗常数为 $\text{[math]}$ ，S原子填充在 $\text{[math]}$ 构成的正四面体空隙中，则晶胞中正四面体的空隙填充率为，则 $\text{[math]}$ 密度为 $\text{[math]}$ (列出计算式)。

高中化学试卷推荐