高考二轮复习知识点：化学键2

（1） Ga原子的价电子排布式为；Ga、As和Se的第一电离能由小到大的顺序是。

（2） 实验发现，氯化铝的蒸气或溶于非极性溶剂中或处于熔融状态时，都以二聚态(Al₂Cl₆)形式存在。其球棍模型如图所示。

①该分子中Al原子采取杂化。

②Al₂Cl₆与过量NaOH溶液反应生成Na[Al(OH)₄]，[Al(OH)₄]^-中存在的化学作用力类型有 (填标号)。

A．离子键    B．极性共价键    C．金属键   D．非极性共价键   E．配位键        F．σ键     G．氢键

（3） 更高温度下Al₂Cl₆二聚体则离解成AlCl₃ ， BF₃是AlCl₃的一种等电子体，结合价层电子对互斥理论判断，BF₃的分子构型为。

（4） GaN是第三代半导体材料的研究热点，在干燥的NH₃气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃，GaAs熔点为1238℃，GaN熔点高于GaAs的原因是。

（5） GaN的其中一种晶胞结构如图所示，与金刚石的晶体结构高度相似。该晶胞中Ga原子处于N原子形成的(填“正四面体形” 或“正八面体形”)空隙。已知GaN的密度为ρ g/cm³ ， Ga和As的摩尔质量分别为a g/mol和b g/mol，则GaN晶胞的边长为pm(列出表达式)。

（1） KBBF的化学式为KBe₂BO₃F₂ ， KBBF晶体的棱镜耦合技术在国际上首次实现了Nd：YVO₄激光的6倍频谐波光输出。

①B的价电子层排布式为。

②Y的原子序数为39，其在元素周期表中的位置为。

③KBe₂BO₃F₂中各元素的第一电离能由小到大的顺序为。

④KBF₄是合成KBBF的原料之一，其阴离子的空间构型为，与该阴离子互为等电子体的离子为。

（2） BBO晶体和LBO晶体是我国首次走向国际，并被国际上广泛应用的两种晶体。LBO晶体由Li、B、O三种元素组成，晶胞结构及沿b、c轴的投影图如图甲所示(O原子略去)，晶体结构中存在(B₃O₇)^5-基团，Li⁺分布在基团骨架空隙中，如图乙所示。

①LBO晶体化合物的化学式为。

②该晶体中含有的化学键有，晶体类型为，其中B采取杂化。

③已知该晶体的晶胞参数分别为apm、bpm、cpm，α=β=y=90°，则该晶体的密度ρ=g·cm^-3。(设阿伏加德罗常数的值为N_A ， 用含a、b、c、N_A的代数式表示)

（1） 基态Ni原子的外围电子排布式为。

（2） 铁系元素能与CO形成Fe(CO)₅、Ni(CO)₄等金属羰基化合物。已知室温时Fe(CO)₅为浅黄色液体，沸点103℃，则Fe(CO)₅中含有的化学键类型包括____ (填字母)。

（3） 以甲醇为溶剂，Co²⁺可与色胺酮分子配位结合形成对DNA具有切割作用的色胺酮钴配合物(合成过程如图所示)。色胺酮分子中所含部分元素(C、N、O)第一电离能由大到小的顺序为，色氨酮分子中所有N原子的杂化类型有，色胺酮钴配合物中钴的配位数为，X射线衍射分析显示色胺酮钴配合物晶胞中还含有一个CH₃OH分子，CH₃OH是通过作用与色胺酮钴配合物相结合。

（4） 已知：r(Fe²⁺)为61pm、r(Co²⁺)为65pm。在隔绝空气条件下分别加热FeCO₃和CoCO₃ ， 实验测得FeCO₃的分解温度低于CoCO₃ ， 原因是。

（5） 已知TiN晶体的晶胞结构如图所示，若该晶胞的密度为ρg．cm^-3 ， 阿伏加德罗常数值为N_A ， 则晶胞中Ti原子与N原子的最近距离为pm。(用含ρ、N_A的代数式表示)