题目

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题： （1） 写出基态As原子的核外电子排布式． （2） 根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”） （3） AsCl3分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为． （4） GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是． （5） GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm﹣3 ， 其晶胞结构如图所示．该晶体的类型为，Ga与As以键键合．Ga和As的摩尔质量分别为MGa g•mol﹣1和MAs g•mol﹣1 ， 原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA ， 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为． 答案： 【1】1s22s22p63s23p63d104s24p3 【1】大于【2】小于 【1】三角锥形【2】sp3 【1】GaF3为离子晶体，GaCl3为分子晶体，离子晶体的熔点高 【1】原子晶体【2】共价【3】4π×10−30NAρ(rGa3+rAS3)3(MGa3+MAS3) ×100%

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