高考二轮复习知识点：原子核外电子排布1

高考二轮复习知识点：原子核外电子排布1
教材科目：化学
试卷分类：高考阶段
文件类型：.doc
发布时间：2026-05-01
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以下为试卷部分试题预览

1. 多选题	详细信息
下列元素中，原子最外层电子数与其电子层数相同的有（　　） A . H B . Na C . Al D . Si

2. 多选题	详细信息
下列化学用语的书写正确的是（） A . 基态Mg原子的核外电子排布图： B . 过氧化氢的电子式： C . As原子的简化电子排布式：[Ar]4s²4p³ D . 羟基的电子式：

3. 多选题

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下列说法正确的是（）

A . 在CCl₄、PCl₅、CS₂分子中所有原子都满足最外层为8个电子稳定结构 B . 三氯化铁常温下为固体，熔点282℃，沸点315℃，在300℃以上易升华，易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有机溶剂，因此三氯化铁晶体是分子晶体 C . Na₃N与NaH均为离子化合物，都能与水反应放出气体，且与水反应所得溶液均能使酚酞试液变红 D . SO₂、H₂O都是由极性键形成的非极性分子

4. 多选题	详细信息
下列说法错误的是（） A . 基态Cr原子有6个未成对电子 B . 元素Ga的核外电子排布式为 $\text{[math]}$ ，位于元素周期表中p区 C . NH₃中N-H键间的键角比CH中C-H键间的键角小 D . XY₂分子为V形，则X原子一定为sp²杂化

5. 多选题

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实验室中常用丁二酮肟来检验Ni²⁺ ，反应时形成双齿配合物.离子方程式如下：

下列说法错误的是（）

A . 基态Ni²⁺的电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸ B . 丁二酮肟分子中碳原子与氮原子的杂化方式均为sp² C . 每个二(丁二酮肟)合镍(II)含有32个σ键 D . 二(丁二酮肟)合镍( II )的中心原子的配体数目和配位数均为4

6. 多选题

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短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大，W的一种同位素可用于考古时测定一些文物的年代，Y是短周期中金属性最强的元素，X、Z同主族，Y与W原子的电子数之差等于X原子的最外层电子数。下列说法错误的是（）

A . W能形成多种氢化物 B . 原子半径： $\text{[math]}$ C . X的最高价氧化物的水化物是弱酸 D . 简单氢化物的稳定性： $\text{[math]}$

7. 多选题

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M、X、Y、Z、W为原子序数依次增大的短周期主族元素。M、X是形成有机物的主要元素，Y的基态原子的2p能级中含有3个未成对电子，Z的s能级和p能级上的电子总数相等，W是短周期元素中电负性最小的元素。下列说法正确的是（）

A . YM₃是由极性键构成的极性分子 B . $\text{[math]}$ 的空间构型为平面三角形 C . M、Y、Z三种元素形成的化合物溶于水均会抑制水的电离 D . 工业上采用电解W的氯化物水溶液的方法制取W的单质

8. 多选题

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金属钴及其化合物在航天、航空、航海和催化剂等领域发挥着重要的作用。回答下列问题：

（1）基态钴原子的价电子排布式为，其最高能层电子云轮廓图为形。
（2）钴能够形成以钴中心原子的多种配位化合物。
①CO分子作为配体时，碳原子和氧原子均能够提供孤电子对。CO与钴形成配位化合物时，提供孤电子对的为原子(填元素名称)。
②高氯酸六氨合钴(II)的结构为。其外界离子的空间构型为；下列对[Co(NH₃)₆]²⁺的中心原子采取的杂化类型判断合理的是(填标号)。
A．sp³ B．sp³d C．sp³d² D．dsp²
（3）工业上用CH₄处理N₂O的化学方程式为：CH₄+N₂O $\text{[math]}$ N₂+CH₃OH。
①写出一种与N₂O互为等电子体的阴离子的化学式：。
②CH₃OH与水任意比互溶，其原因除与水分子的极性相似外，还有。
（4）金属钴有两种堆积方式，其晶体结构如图所示。
①甲图所示的堆积方式中，每个晶胞中实际占有的钴原子数为；乙图所示的堆积方式中，晶胞的原子空间利用率为。
②已知：N_A为阿伏加德罗常数的值，钴原子半径为r pm。甲图中正六棱柱的高为hpm，则该晶胞的密度为g·cm^-3(用含r、h、N_A的式子表示，列出计算式即可)。

9. 多选题

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某蓝色晶体可表示为 $\text{[math]}$ (x、y、z为正整数)，其中M的化合价为+1价，其晶体中阴离子的晶胞结构如图所示(晶胞棱长为a cm， $\text{[math]}$ 为阿伏加德罗常数的值)。下列说法正确的是（）

A . $\text{[math]}$ B . 基态 $\text{[math]}$ 的最外层电子排布式为 $\text{[math]}$ C . $\text{[math]}$ 中含有配位键、极性共价键和离子键 D . 阴离子晶胞密度 $\text{[math]}$

10. 单选题	详细信息
砷化镓（GaAs）作为第二代半导体材料的代表，是目前研究最成熟、生产量最大的半导体材料。GaAs晶胞结构如图所示，晶胞边长为apm，下列说法正确的是（） A . GaAs属于离子晶体 B . 基态砷原子价电子排布图为 C . As的配位数为4 D . 该晶体密度为 $\text{[math]}$

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以下为试卷部分试题预览

砷化镓（GaAs）作为第二代半导体材料的代表，是目前研究最成熟、生产量最大的半导体材料。GaAs晶胞结构如图所示，晶胞边长为apm，下列说法正确的是（ ）

砷化镓（GaAs）作为第二代半导体材料的代表，是目前研究最成熟、生产量最大的半导体材料。GaAs晶胞结构如图所示，晶胞边长为apm，下列说法正确的是（）