题目

氮化镓(GaN)材料是第三代半导体的代表，通常以GaCl3为镓源，NH3为氮源制备，具有出色的抗击穿能力，能耐受更高的电子密度。 （1） 基态Ga价电子排布图为。 （2） Ga、N和O的第一电离能由小到大的顺序为，NO的空间构型为，与其互为等电子体的微粒有(任写一种) （3） GaCl3熔点为77.9℃，气体在270℃左右以二聚物存在，GaF3熔点1000℃，GaCl3二聚体的结构式为，其熔点低于GaF3的原因为。 （4） 与镓同主族的B具有缺电子性，硼砂(四硼酸钠Na2B4O7·10H2O)中B4O是由两个H3BO3和两个[B(OH)4]-缩合而成的双六元环，应写成[B4O5(OH)4]2-的形式，结构如图所示，则该离子存在的作用力有，B原子的杂化方式为。 A．离子键        B．共价键        C．金属键 D．范德华力            E．氢键          F．配位键 （5） 氮化镓的晶胞如图所示，Ga原子与N原子半径分别为a pm和b pm，阿伏加德罗常数的值为NA ， 晶胞密度为c g/cm3 ， 则该晶胞的空间利用率为(已知空间利用率为晶胞内原子体积占晶胞体积的百分比)。 答案： 【1】 【1】Ga＜O＜N【2】平面三角形【3】BF3 【1】【2】GaCl3为分子晶体，熔化时破坏分子间作用力，GaF3为离子晶体，熔化时破坏离子键，离子键强于分子间无偶用力，所以GaCl3的熔点低于GaF3 【1】B、F【2】sp2、sp3 【1】43π(a3+b3)×10-30cNA(70+14)×100%

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