题目

以氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常也称为高温半导体材料。回答下列问题： （1） 基态Ga原子价层电子的电子排布图为；第二周期中，第一电离能介于N和B之间的元素有种。 （2） HCN分子中σ键与π键的数目之比为，其中σ键的对称方式为。与CN-互为等电子体的一种分子为。 （3） NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子与CO2互为等电子体，阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF3的空间构型为。 （4） GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因。 GaN GaP GaAs 熔点 1700℃ 1480℃ 1238℃ （5） GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。 ①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为； ②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为 a3cm3 ， GaN晶体的密度为g/cm3（用a、NA表示）。 图1                        图2 答案： 【1】【2】3 【1】1:1【2】轴对称【3】CO 【1】sp【2】三角锥形 【1】原子半径N< P< As，键长Ga-N < Ga-P < Ga-As，键能Ga-N > Ga-P > Ga-As，故熔点降低 【1】12【2】842NAa3

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