题目
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:
(1)
写出基态As原子的核外电子排布式.
(2)
根据元素周期律,原子半径GaAs,第一电离能GaAs.(填“大于”或“小于”)
(3)
AsCl3分子的立体构型为,其中As的杂化轨道类型为.
(4)
GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是.
(5)
GaAs的熔点为1238℃,密度为ρ g•cm﹣3 , 其晶胞结构如图所示.该晶体的类型为,Ga与As以键键合.Ga和As的摩尔质量分别为MGa g•mol﹣1和MAs g•mol﹣1 , 原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA , 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为.
答案: 【1】1s22s22p63s23p63d104s24p3
【1】大于【2】小于
【1】三角锥形【2】sp3
【1】GaF3为离子晶体,GaCl3为分子晶体,离子晶体的熔点高
【1】原子晶体【2】共价【3】4π×10−30NA(rGa3+rAs3)3(MGa+MAs) ×100%