题目

锗（Ge）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题： （1）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因________。         熔点/℃  −49.5 26 146 沸点/℃ 83.1 186 约 400 （2）光催化还原 CO2 制备 CH 4 反应中，带状纳米 Zn 2GeO4 是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O 电负性由大至小的顺序是________。 （3）Ge 单晶具有金刚石型结构，其中 Ge 原子的杂化方式为________，微粒之间存在的作用力是________。 （4）砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。 ①写出基态 As 原子的核外电子排布式________。根据元素周期律，原子半径 Ga________As，第一电离能 Ga________As。（填“大于”或“小于”） ②AsCl3 分子的立体构型为________，其中As的杂化轨道类型为________。GaF3 的熔点高于 1000℃，GaCl3 的熔点为 77.9℃，其原因是________。 答案：（1）GeCl4、GeBr4、GeI4依次升高；GeCl4、GeBr4、GeI4均为分子晶体，组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，分子间作用力越大，熔沸点越高； （2）O＞Ge＞Zn； （3）sp3；共价键； （4）①1s22s22p63s23p63d104s24p3；大于；小于； ②三角锥形；sp3；GaF3是离子晶体，GaCl3是分子晶体，离子晶体GaF3的熔沸点高。

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