题目
(19分)如图所示,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ;(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处,质量为16m的离子打在S2处。求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。
答案:解析:(1)正离子被电压为U0的加速电场加速后速度设为V1,设对正离子,应用动能定理有eU0=mV12, 正离子垂直射入匀强偏转电场,作类平抛运动受到电场力F=qE0、产生的加速度为a=,即a=,垂直电场方向匀速运动,有2d=V1t,沿场强方向:Y=at2,联立解得E0=又tanφ=,解得φ=45°;(2)正离子进入磁场时的速度大小为V2=, 正离子在匀强磁场中作匀速圆周运动,由洛仑兹力提供向心力,qV2B=,解得离子在磁场中做圆周运动的半径R=2;(3)根据R=2可知,质量为4m的离子在磁场中的运动打在S1,运动半径为R1=2,质量为16m的离子在磁场中的运动打在S2,运动半径为R2=2,又ON=R2-R1,由几何关系可知S1和S2之间的距离ΔS=-R1,联立解得ΔS=4(-);由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1,再根据R1<R<R1,解得m<mx<25m。